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Archivo PDF Caracteristicas Electricas
BAJAR PDF. 32A/500V/1U
Features
  • Silicon N Channel MOS Transistor
  • Features
  • Low drain-source ON resistance : RDS(ON) = 0.75 Ohms (typ.)
  • High forward transfer admittance : YFS = 7.0 S (typ.)
  • Low leakage current : IDSS = 100uA(max) (VDS = 500 V)
  • Enhancement-mode : Vth = 2.0 - 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
Aplicaciones
  • Applications
  • Switching Regulator
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