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MTE53N50E

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TMOS POWER FET 53 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 0.080 OHM
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  Política de seguridad

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  Política de entrega

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  Política de devolución

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Archivo PDF Caracteristicas Electricas
BAJAR PDF. 53A/500V/1U
Features
  • TMOS POWER FET
  • Features
  • 2500 V RMS Isolated Isotop Package
  • Avalanche Energy Specified
  • Source-to-Drain Diode Recovery Time
  • Compatible to a Discrete Fast Recovery Diode
  • Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits
  • Very Low Internal Parasitic Inductance
  • IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature
  • U.L. Recognized, File #E69369
Aplicaciones
MTE53N50E
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