E53NA50

Voltaje: 53 A/500 V

Transistor de potencia MOSFET de canal N de modo de enriquecimiento rápido. Está diseñado en un encapsulado aislado de tipo ISOTOP (SOT-227), ideal para aplicaciones de alta corriente y alta velocidad que requieren un montaje directo y eficiente sobre disipadores de calor